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晶体管
2SK3566(STA4,Q,M)参考图片

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2SK3566(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
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数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0399
3519.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
2SK3566
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，2SK3566(STA4,Q,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSW68A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 150Vcer 500mA 80MHz 35pF
1:¥31.9677
10:¥28.589
100:¥26.0465
250:¥23.5153
参考库存:3682
JANTX2N2920
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥393.9632
5:¥372.674
10:¥368.4478
25:¥340.7854
参考库存:3297
IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER NEW
1:¥114.6498
10:¥105.429
25:¥101.0446
100:¥89.0553
2,000:¥65.6191
参考库存:4238
IRFR430ATRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥14.6787
10:¥12.2153
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8591
2,000:¥6.8591
参考库存:5292
BC 817K-25 E6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:45140
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