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IRFP4127PBF

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库存：2,835(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.036
42.036
10
¥35.7306
357.306
100
¥30.962
3096.2
250
¥29.3574
7339.35
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
341 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001566148
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRFP4127PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G
ON Semiconductor
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MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥6.3732
10,000:¥6.1359
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PTVA035002EV-V1-R250
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250:¥2,586.3553
参考库存:27646
NVMFS5C450NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
参考库存:27649
PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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APTGT300A120D3G
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100:¥1,266.8656
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