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晶体管
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IPP60R380E6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6
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数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0625
7062.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10.6 A
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPP60R380E6XKSA1 IPP6R38E6XK SP000795310
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP60R380E6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXFC192207FH-V3-R0
Wolfspeed / Cree
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50:¥823.8039
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PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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100:¥7.91
500:¥6.8591
1,000:¥5.4127
3,000:¥5.1641
参考库存:8682
PTVA101K02EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥4,926.3706
参考库存:32011
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