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晶体管
SIHP18N50C-E3参考图片

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SIHP18N50C-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:1,877(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.4526
6226.3
1,000
¥10.2943
10294.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
225 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
223 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP18N50C-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.5262
参考库存:2656
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:10144
晶体管
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥3.4239
500:¥2.5086
2,500:¥1.7176
5,000:查看
参考库存:6786
晶体管
MOSFET N-CH 30V .1A
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:16918
晶体管
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.41471
参考库存:264792
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