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晶体管
ZTX618参考图片

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ZTX618

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
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库存:4,787(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.9155
49.155
100
¥3.164
316.4
1,000
¥2.5312
2531.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
210 mV
最大直流电集电极电流
3.5 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX618
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 170 at 3 A, 2 V, 40 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
450 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX618的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3492
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR DUAL 50V
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:16837
晶体管
MOSFET MOSFET, Single P-Ch, -20V, -6.5A
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:12002
晶体管
MOSFET 400V N-CH MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.4634
参考库存:6190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.6724
参考库存:6487
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