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晶体管
SCT2280KEC参考图片

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SCT2280KEC

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
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数量单价合计
1
¥76.9191
76.9191
10
¥69.5402
695.402
25
¥66.3084
1657.71
100
¥57.5509
5755.09
250
¥54.9406
13735.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 22 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
108 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT2x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SCT2280KE
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SCT2280KEC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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