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晶体管
STP4N90K5参考图片

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STP4N90K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:1,772(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
5.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP4N90K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
25.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.4 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STP4N90K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
1,200:查看
参考库存:17018
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SMALL SIGNAL BIAS RE
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:17021
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥72.2296
10:¥65.0089
25:¥59.1668
50:¥55.1666
参考库存:17024
晶体管
MOSFET 12V 25A 3.5W 3.0mohm @ 4.5V
1:¥24.1255
10:¥19.9784
100:¥16.4415
250:¥15.9782
2,500:¥11.4469
5,000:查看
参考库存:17027
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.7521
10:¥11.4469
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
3,000:¥6.4297
参考库存:17030
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