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晶体管
JANTXV2N2219/TR参考图片

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JANTXV2N2219/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:40,158(价格仅供参考)
数量单价合计
142
¥101.3497
14391.6574
250
¥92.434
23108.5
500
¥86.445
43222.5
1,000
¥79.3034
79303.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
800 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
325 at 1 mA, 10 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
35 at 100 uA, 10 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTXV2N2219/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 . .
1:¥74.0715
10:¥73.4613
25:¥66.9299
100:¥60.3985
参考库存:3098
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.46895
9,000:¥0.41471
24,000:¥0.39211
参考库存:33640
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥641.6931
2:¥621.7938
5:¥621.5565
10:¥601.5781
参考库存:3026
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
1,000:¥12.3735
2,000:查看
参考库存:3851
晶体管
MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
8,000:¥1.04525
24,000:查看
参考库存:3631
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