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晶体管
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CGHV60170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
12.6 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
高度
100 um
长度
5400 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
8 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
CGHV60170D-GP4
商品其它信息
优势价格，CGHV60170D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SP000925524
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥38.7251
480:¥36.9623
720:¥33.7305
1,200:¥29.3574
参考库存:31681
STD13NM50N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.285 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
2,500:¥5.7065
5,000:¥5.5031
10,000:¥5.2884
参考库存:31684
IRFPC50LCPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
500:¥29.8094
1,000:¥25.9674
2,500:¥25.0521
参考库存:31687
IKW40N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥25.4363
480:¥24.1255
720:¥21.6734
参考库存:31690
NVMFS5C670NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.825
10,000:¥2.7233
25,000:¥2.6329
参考库存:31693
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