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晶体管
NSVBC847BDW1T2G参考图片

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NSVBC847BDW1T2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN 45V
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库存:10,778(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1357
21.357
100
¥0.91417
91.417
1,000
¥0.70738
707.38
3,000
¥0.53788
1613.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC847BDW1
直流电流增益 hFE 最大值
450
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,NSVBC847BDW1T2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
1:¥10.7576
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
2,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:5515
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:7277
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:40240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:6722
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,217.4507
5:¥1,188.1724
10:¥1,158.6681
25:¥1,142.3848
参考库存:4393
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