您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FDB8870参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FDB8870

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,058(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.571
3785.5
800
¥6.2715
5017.2
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB8870
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
98 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FDB8870_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB8870的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:13595
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 45A
1:¥223.6835
5:¥221.3783
10:¥206.3154
25:¥197.0946
参考库存:3671
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
参考库存:3943
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A
1:¥1,722.7528
5:¥1,681.2592
10:¥1,639.5396
25:¥1,616.5554
参考库存:3671
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥36.5781
10:¥31.0411
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:4103
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们