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晶体管
SIHG018N60E-GE3参考图片

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SIHG018N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥131.9388
131.9388
10
¥119.8704
1198.704
25
¥110.8756
2771.89
50
¥104.8866
5244.33
100
¥101.8921
10189.21
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
99 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
228 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
524 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
84 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
197 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
177 ns
典型接通延迟时间
132 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG018N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥8.8366
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