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晶体管
SI4435DYTRPBF参考图片

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SI4435DYTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
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库存：3,083(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
76 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001573756
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，SI4435DYTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA115TT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:8679
IGB50N60T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.3626
2,000:查看
参考库存:2807
TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
1:¥21.2892
10:¥17.1308
参考库存:2762
BC847B-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:41685
SI7370DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.7523
10:¥14.7578
3,000:¥14.7578
参考库存:10732
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