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晶体管
IRG4PC50SDPBF参考图片

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IRG4PC50SDPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST COPACK IGBT
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库存:31,640(价格仅供参考)
数量单价合计
400
¥39.1884
15675.36
800
¥35.7306
28584.48
1,200
¥31.1202
37344.24
2,800
¥29.9676
83909.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.36 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537214
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PC50SDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.221
500:¥11.6051
参考库存:19215
晶体管
射频开发工具 MRF300A-40MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥4,610.40
参考库存:2519
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:11413
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥28.0466
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:3378
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
3,000:¥5.5031
6,000:查看
参考库存:5082
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