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晶体管
STL190N4F7AG参考图片

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STL190N4F7AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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库存:6,815(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.8422
3921.1
1,000
¥6.5201
6520.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.68 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
127 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL190N4F7AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格,STL190N4F7AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
参考库存:5140
晶体管
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1:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:41310
晶体管
达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi- Crnt Darl Trans
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4635
500:¥3.9437
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:8406
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:205049
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥218.2256
10:¥209.8523
参考库存:3793
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