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晶体管
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FCPF099N65S3

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数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥22.2836
222.836
100
¥19.3682
1936.82
250
¥18.3625
4590.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
FCPF099N65S3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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527:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥5.9212
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参考库存:33554
晶体管
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1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:7204
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