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晶体管
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STGB15M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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数量单价合计
1
¥16.5206
16.5206
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
1,000
¥8.1473
8147.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
136 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB15M65DF2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGB15M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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STF18NM60N
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1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
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100:¥936.5214
参考库存:36494
JANTXV2N5415S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
102:¥141.5438
250:¥129.0121
500:¥120.7179
参考库存:36497
JANS2N6988
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥1,286.4598
参考库存:36500
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