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晶体管
CSD18536KCS参考图片

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CSD18536KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N ch MOSFET
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库存:4,991(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.1146
32.1146
10
¥28.815
288.15
100
¥23.5944
2359.44
250
¥22.1254
5531.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
349 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
108 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18536KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
312 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,CSD18536KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
参考库存:4636
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥51.5619
10:¥42.7253
100:¥35.1882
250:¥34.1147
500:¥30.5778
参考库存:4939
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:5038
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:6657
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,042.1086
5:¥1,021.6669
10:¥974.0261
25:¥953.5844
50:¥953.5844
参考库存:4642
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