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晶体管
TSM7NC60CF C0G参考图片

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TSM7NC60CF C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 600V, 7A, 1.2 Single N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
4,000
¥4.0228
16091.2
5,000
¥3.8194
19097
10,000
¥3.729
37290
25,000
¥3.6612
91530
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.07 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
44.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
27.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10.4 ns
单位重量
1.700 g
商品其它信息
优势价格,TSM7NC60CF C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
暂无价格
参考库存:22314
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
1,000:¥10.9158
参考库存:2204
晶体管
MOSFET 30V N-CHAN 10.2A
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
2,500:¥2.8702
10,000:查看
参考库存:22319
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双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:22322
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1:¥7.6049
10:¥6.5088
100:¥4.9946
500:¥4.4183
1,500:¥3.0849
9,000:查看
参考库存:22325
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