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晶体管
IRFP2907PBF参考图片

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IRFP2907PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
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库存:6,563(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.488
42.488
10
¥36.1148
361.148
100
¥31.2784
3127.84
250
¥29.7416
7435.4
500
¥26.668
13334
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
209 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
410 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
130 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
SP001571058
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRFP2907PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
参考库存:3399
晶体管
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:4770
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 16A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
500:¥13.1419
参考库存:1881
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥58.5566
10:¥52.9405
25:¥50.4884
100:¥43.7988
参考库存:2209
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IGBT 晶体管 FS2 TIGBT excellent swtching performance
1:¥82.2188
10:¥74.3088
25:¥70.851
100:¥61.5511
参考库存:2256
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