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晶体管
PMDPB30XN,115参考图片

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PMDPB30XN,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET PMDPB30XN/HUSON6/REEL 7" Q1/T1
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库存:11,393(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.0001
200.01
1,000
¥1.5933
1593.3
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Qg-栅极电荷
14.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.33 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
7.200 mg
商品其它信息
优势价格,PMDPB30XN,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥42.262
10:¥35.9566
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.5098
参考库存:2250
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:1804
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:2659
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:6546
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:6653
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