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晶体管
IRFR1205TRPBF参考图片

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IRFR1205TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
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数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1132
4113.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
69 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
7.3 ns
零件号别名
SP001560566
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFR1205TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
3,000:¥2.1357
9,000:¥2.0566
24,000:¥1.9775
45,000:¥1.9436
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100,000:¥0.17628
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10:¥1,094.97
30:¥1,071.9971
参考库存:33477
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