您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
MJE803G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MJE803G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:6,404(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6047
36.047
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.8645
1864.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
100 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE802
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
681 mg
商品其它信息
优势价格,MJE803G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH VOLTAGE
1:¥7.0738
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥4.1019
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.0849
参考库存:26177
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
1:¥37.4934
10:¥30.1258
100:¥27.5042
250:¥24.8148
2,500:¥17.8314
5,000:查看
参考库存:4131
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥378.437
5:¥365.6793
10:¥353.7691
25:¥327.1802
参考库存:4140
晶体管
MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
1:¥80.456
10:¥72.772
25:¥69.382
100:¥60.2403
参考库存:36281
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:4577
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-83266697

手机:19129493934

传真:0755-83267787

Email: lucy@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-83266697

微信联系我们 微信扫码联系我们