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晶体管
PDTD123TT,215参考图片

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PDTD123TT,215

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 500 MA RET
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库存:7,647(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.0679
20.679
100
¥0.86784
86.784
1,000
¥0.59212
592.12
3,000
¥0.46104
1383.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
2.2 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
商标
Nexperia
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
PDTD123TT T/R
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,PDTD123TT,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:5526
晶体管
MOSFET FET 1200V 5A 450mOhm Silicon Carbide SiC
1:¥60.8618
10:¥55.0197
25:¥52.4094
100:¥45.4938
250:¥43.4937
参考库存:4468
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
2,000:¥2.3956
参考库存:4583
晶体管
MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,000:¥6.0116
参考库存:5246
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
1:¥28.0466
100:¥26.9731
500:¥25.6623
参考库存:4272
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