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晶体管

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APTGT150DU120G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:28,485(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥937.2898
93728.98
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
220 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT150DU120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥9.9892
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.4579
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:9957
晶体管
MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2885
2,000:¥6.1811
4,000:查看
参考库存:5865
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.9775
500:¥1.6272
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:7144
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.712
100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.09158
参考库存:9400
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:8685
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