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晶体管
PSMN3R9-60PSQ参考图片

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PSMN3R9-60PSQ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 60 V 3.9 mo FET
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库存:31,371(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥7.0286
35143
10,000
¥6.7574
67574
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
2.94 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
263 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
41.4 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62.7 ns
典型接通延迟时间
25.3 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,PSMN3R9-60PSQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6217
参考库存:5421
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:4932
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:11268
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥249.8091
5:¥238.5882
10:¥231.1302
25:¥212.3835
参考库存:43293
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:22718
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