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晶体管
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MPS6513

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
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5,000
¥1.3334
6667
10,000
¥1.2543
12543
25,000
¥1.1865
29662.5
50,000
¥1.1526
57630
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MPS65
直流电流增益 hFE 最大值
90 at 2 mA, 10 V
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.45 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
90 at 2 mA, 10 V, 60 at 100 mA, 10 V
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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