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晶体管
MMBF170Q-13-F参考图片

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MMBF170Q-13-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
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库存:31,368(价格仅供参考)
数量单价合计
10,000
¥0.3842
3842
20,000
¥0.3616
7232
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
70 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
5.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
MMBF170
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBF170Q-13-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:21741
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 30V 80A 3.2mOhm SGL N-CH
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.2939
参考库存:5071
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
1:¥3.2318
10:¥1.8419
100:¥0.84524
1,000:¥0.61472
4,000:¥0.46104
24,000:¥0.3842
参考库存:7740
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:11211
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF
1:¥5.763
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
2,500:¥1.921
参考库存:4781
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