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晶体管
TSM042N03CS RLG参考图片

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TSM042N03CS RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET
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库存:27,915(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥1.7402
8701
10,000
¥1.7176
17176
25,000
¥1.6724
41810
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.8 ns
典型接通延迟时间
12.6 ns
商品其它信息
优势价格,TSM042N03CS RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:45704
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.8871
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:45707
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:45710
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
5,000:¥4.3618
10,000:¥4.2036
参考库存:45713
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥28.0466
10:¥24.973
25:¥22.5096
50:¥21.5152
参考库存:45716
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