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晶体管
TSM042N03CS RLG参考图片

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TSM042N03CS RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET
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库存:27,915(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥1.7402
8701
10,000
¥1.7176
17176
25,000
¥1.6724
41810
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.8 ns
典型接通延迟时间
12.6 ns
商品其它信息
优势价格,TSM042N03CS RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5143
参考库存:4440
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual MatchedNPN Tra
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16275
晶体管
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
800:¥9.1417
参考库存:5989
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.3KA
1:¥5,924.8273
5:¥5,830.1559
参考库存:42896
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 400V 0.5A
1:¥6.3054
10:¥5.198
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.2713
参考库存:6950
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