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晶体管
NTB25P06T4G参考图片

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NTB25P06T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -60V -27.5A Pchannel
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库存:3,672(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.5484
3774.2
800
¥6.2489
4999.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
27.5 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.29 mm
系列
NTB25P06
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
190 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NTB25P06T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:30868
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1,000:¥17.5941
3,000:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:30871
晶体管
MOSFET BISS
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
24,000:¥0.82264
45,000:¥0.791
99,000:¥0.76049
参考库存:30874
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
1,000:¥9.379
2,000:¥8.6784
5,000:¥8.3733
10,000:¥8.0682
参考库存:30877
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
500:¥28.0466
1,000:¥23.6622
2,500:¥22.4418
参考库存:30880
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