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晶体管
IRFH4210DTRPBF参考图片

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IRFH4210DTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
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库存：3,759(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.594
15.594
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2208
4610.4
4,000
¥6.9043
27617.2
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
392 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001575718
商品其它信息
优势价格，IRFH4210DTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9875-100A/CUX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.6329
1,000:¥2.1131
2,000:¥1.7854
参考库存:41781
VRF141MP
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥744.8847
2:¥721.7536
5:¥721.5276
10:¥698.3174
参考库存:2581
F5-75R06KE3_B5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,070.3004
5:¥2,885.2629
参考库存:2614
VN2222LL-G-P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.7403
25:¥3.164
100:¥2.8476
2,000:¥1.9436
4,000:查看
参考库存:3613
C3M0120100J
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
1:¥67.235
100:¥64.6247
500:¥61.472
参考库存:3422
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