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晶体管
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FCX605TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN 120V Darlington
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库存:9,649(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1358
41.358
100
¥2.5199
251.99
1,000
¥1.9549
1954.9
2,000
¥1.6724
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FCX60
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
2000
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000 at 50 mA at 5 V, 5000 at 500 mA at 5 V, 2000 at 1 A at 5 V, 500 at 2 A at 5 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,FCX605TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
50:¥486.4763
100:¥473.3344
参考库存:30685
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
2,500:¥2.7459
10,000:¥2.6442
25,000:¥2.5538
参考库存:30688
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:4464
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:30693
晶体管
IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
800:¥15.9104
2,400:¥15.142
4,800:¥14.5205
参考库存:30696
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