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晶体管
PMDXB600UNEZ参考图片

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PMDXB600UNEZ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 20 V, dual N-channel Trench MOSFET
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库存:7,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
5,000
¥1.4577
7288.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1010B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms, 3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
400 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
380 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
51 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
优势价格,PMDXB600UNEZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Transistor
1:¥3.4578
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100:¥1.8306
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10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.9493
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1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
2,500:¥5.0737
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晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX035H/CFM2F///REEL 13
1:¥379.2054
5:¥370.753
10:¥353.8482
25:¥339.0226
50:¥339.0226
参考库存:3520
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