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晶体管
ZXTN04120HP5TC参考图片

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ZXTN04120HP5TC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 120V NPN Med Pwr Darlington 1.5A 3.2W
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
5,000
¥1.5368
7684
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
14 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
最大集电极截止电流
100 nA
Pd-功率耗散
3.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
POWERDI5
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN04
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000
增益带宽产品fT
150 MHz
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
商标名
PowerDI
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTN04120HP5TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 650V HEXFET MOSFET
1:¥22.0576
10:¥18.2834
100:¥15.0629
250:¥14.5996
500:¥13.0628
参考库存:2461
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.526
800:¥9.5259
2,400:¥9.4468
参考库存:1911
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.311
参考库存:5434
晶体管
MOSFET 250V N-Chan MOSFET
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:3370
晶体管
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
1:¥6.4523
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
1,500:¥2.7459
参考库存:5562
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