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晶体管
A2T21H360-23NR6参考图片

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A2T21H360-23NR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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库存:32,645(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥853.15
127972.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.4 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 5 V
增益
16.8 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935322358528
单位重量
5.296 g
商品其它信息
优势价格,A2T21H360-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 1.2V Power MOSFE
1:¥3.5369
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:11558
晶体管
MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified
1:¥6.3732
10:¥5.2997
100:¥4.1471
500:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:101637
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed in a TO247-4 package
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:4994
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:24517
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥4,944.88
5:¥4,865.8139
参考库存:1008
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