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晶体管
A2T21H360-23NR6参考图片

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A2T21H360-23NR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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库存:32,645(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥853.15
127972.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.4 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 5 V
增益
16.8 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935322358528
单位重量
5.296 g
商品其它信息
优势价格,A2T21H360-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
3,000:¥5.8308
参考库存:34332
晶体管
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
1:¥19.8202
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.7632
参考库存:4349
晶体管
MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
2,500:¥3.4013
参考库存:66011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥248.2723
5:¥237.1305
10:¥229.6725
25:¥211.084
参考库存:3792
晶体管
IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:4171
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