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晶体管
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ZVN3306A

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库存:8,747(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6443
46.443
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3956
2395.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
270 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVN3306
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
150 mS
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZVN3306A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:7974
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:13601
晶体管
JFET N-Ch -25V JFET 10mA 300mW 10mA 1.7mW
1:¥90.1288
10:¥73.9246
100:¥61.3138
500:¥55.935
参考库存:3807
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V Transistor
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:25465
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Depletion-Mode FET
1:¥8.3733
10:¥7.3224
25:¥6.4749
50:¥6.2715
1,000:¥3.2544
2,000:查看
参考库存:4751
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