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晶体管
CSD88539NDT参考图片

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CSD88539NDT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9833
498.33
250
¥4.9833
1245.825
500
¥4.3957
2197.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11.7 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
CSD88539ND
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,CSD88539NDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥901.6383
2:¥873.6708
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100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
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1:¥4.9155
10:¥4.1245
100:¥2.5199
1,000:¥1.9436
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1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
1,000:¥7.3789
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1:¥988.7726
2:¥961.4944
5:¥939.4481
10:¥912.0117
参考库存:2836
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