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晶体管
DMN3027LFG-7参考图片

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DMN3027LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
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库存:2,590(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
2,000
¥2.0905
4181
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
11.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN3027
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.6 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.5 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
商品其它信息
优势价格,DMN3027LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥38.1149
10:¥32.3519
100:¥28.0466
250:¥26.5889
800:¥20.1366
2,400:查看
参考库存:5155
晶体管
MOSFET SF2 650V 150MOHM F TO247L
1:¥29.5834
10:¥25.1312
100:¥21.8203
250:¥20.6677
参考库存:4476
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET I-PAK
1:¥6.5314
10:¥5.198
参考库存:4579
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 20A, 450V NCHANNEL
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.4184
800:¥6.4071
参考库存:5035
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:4548
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