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晶体管
STGD7NB60ST4参考图片

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STGD7NB60ST4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
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库存:4,983(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4693
746.93
500
¥6.5992
3299.6
2,500
¥4.6217
11554.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
55 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD7NB60S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
15 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STGD7NB60ST4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP 50V 30MA
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:7942
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 100mA HFE/450
1:¥2.0001
10:¥1.3447
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
2,000:¥0.29945
参考库存:24770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/250
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:13039
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 160V
1:¥3.7629
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥1.00683
10,000:¥0.9379
参考库存:10200
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:3357
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