您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
RGT50TS65DGC11参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

RGT50TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 25A IGBT Stop Trench
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,962(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5886
205.886
100
¥17.8992
1789.92
250
¥16.9839
4245.975
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
174 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT50TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT50TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGT50TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
1,000:¥5.7065
参考库存:11624
晶体管
MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.1419
500:¥11.526
800:¥9.5259
参考库存:5670
晶体管
MOSFET N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:8626
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SupreMOS
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6444
5,000:查看
参考库存:7106
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET I-PAK
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:5423
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82813018

手机:19129911934

传真:0755-83267787

Email: Ruby@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82813018

微信联系我们 微信扫码联系我们