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晶体管
RGT50TS65DGC11参考图片

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RGT50TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 25A IGBT Stop Trench
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库存:3,962(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5886
205.886
100
¥17.8992
1789.92
250
¥16.9839
4245.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
174 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT50TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT50TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGT50TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥23.278
10:¥19.2891
100:¥15.9104
250:¥15.368
参考库存:3407
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.3165
参考库存:13503
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp
1:¥9.4468
10:¥7.5484
100:¥6.5992
500:¥5.1189
1,000:¥4.0454
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:12749
晶体管
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
4,000:¥2.0792
参考库存:6709
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