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晶体管
VN2106N3-G P013参考图片

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VN2106N3-G P013

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4578
34.578
25
¥2.8476
71.19
100
¥2.6103
261.03
2,000
¥1.6837
3367.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，VN2106N3-G P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SISA40DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.1472
10:¥4.9607
100:¥3.7742
500:¥3.1075
3,000:¥2.26
6,000:查看
参考库存:9017
2SAR554P5T100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,000:¥1.08367
参考库存:11005
BUK964R2-55B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:7821
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥48.7934
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
2,000:¥24.5097
参考库存:5023
IFN152
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 5.0/20 mA 30mS 15pF
1:¥99.3496
10:¥83.5296
100:¥76.84
250:¥70.0826
参考库存:3091
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