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晶体管
VN2106N3-G P013参考图片

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VN2106N3-G P013

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4578
34.578
25
¥2.8476
71.19
100
¥2.6103
261.03
2,000
¥1.6837
3367.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN2106N3-G P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE7 PWR-MO
1:¥4.3053
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4125
参考库存:27069
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -200mA -150V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
3,000:¥0.58421
9,000:查看
参考库存:5499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:8497
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0623
1,000:¥2.4634
参考库存:10569
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
1:¥4.8364
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6272
参考库存:5201
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