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晶体管

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FF450R12ME3

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数量单价合计
1
¥1,353.8417
1353.8417
5
¥1,321.2638
6606.319
10
¥1,288.4486
12884.486
25
¥1,270.3912
31759.78
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.1 kW
封装 / 箱体
EconoDUAL-3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
152 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12ME3BOSA1 SP000317626
商品其它信息
优势价格,FF450R12ME3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-channel 100 V 45 mo FET
1:¥7.91
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,000:¥3.6386
1,500:¥3.6386
参考库存:17018
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥27.12
10:¥21.8203
100:¥19.8993
250:¥17.9783
参考库存:1759
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
2,500:¥3.8646
参考库存:3629
晶体管
MOSFET BUK7M15-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.373
1,000:¥1.9097
1,500:¥1.6046
参考库存:3427
晶体管
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:76596
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