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晶体管
TPN2R805PL,L1Q参考图片

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TPN2R805PL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET
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数量单价合计
5,000
¥2.9493
14746.5
10,000
¥2.8363
28363
25,000
¥2.7459
68647.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
139 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
TPN2R805PL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，TPN2R805PL,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTLUS4C12NTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:5824
IRF3709ZPBF
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晶体管
MOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
参考库存:4485
IKA15N65H5XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
1,000:¥9.4468
参考库存:3192
IPP200N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:7294
IPP80N08S406AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:3482
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