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晶体管
PD57006TR-E参考图片

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PD57006TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
600
¥85.9026
51541.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57006TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 100V 2A DPAK
1:¥5.0737
10:¥3.729
100:¥2.7685
500:¥2.3391
2,500:¥1.6046
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1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3845
2,500:¥4.4748
10,000:查看
参考库存:3858
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin (3+Tab)
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
2,000:¥0.82264
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晶体管
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1:¥7.458
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3505
2,500:¥3.0397
10,000:查看
参考库存:3794
晶体管
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1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,500:¥2.8702
9,000:查看
参考库存:2910
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