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晶体管
IPW60R099C6参考图片

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IPW60R099C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
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库存:2,603(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.0306
47.0306
10
¥42.488
424.88
25
¥40.4992
1012.48
100
¥35.1882
3518.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37.9 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
119 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPW60R099C6FKSA1 IPW6R99C6XK SP000641908
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R099C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥29.1201
10:¥24.747
100:¥21.4361
250:¥20.3626
500:¥18.2834
参考库存:1967
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:1831
晶体管
MOSFET KTT pkg spin from CSD18535KCS
1:¥22.2045
10:¥19.9784
100:¥16.3624
250:¥15.368
500:¥13.9103
参考库存:2421
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2999
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.0737
1,000:¥4.0002
3,000:¥4.0002
参考库存:5443
晶体管
MOSFET PMV20XNEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:15392
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