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晶体管
BSM100GB120DN2参考图片

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BSM100GB120DN2

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数量单价合计
1
¥1,120.2481
1120.2481
5
¥1,098.2696
5491.348
10
¥1,047.0241
10470.241
25
¥1,025.0456
25626.14
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
800 W
封装 / 箱体
Half Bridge2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DN2HOSA1 SP000100720
商品其它信息
优势价格,BSM100GB120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:9954
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 80V 200W PNP
1:¥49.72
10:¥44.9514
50:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3707
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
1,000:¥3.6386
参考库存:3818
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:17813
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:3365
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