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晶体管
STW11NM80参考图片

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STW11NM80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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库存：4,835(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.0249
46.0249
10
¥41.5727
415.727
25
¥39.6517
991.2925
100
¥34.4198
3441.98
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW11NM80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW11NM80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6P47NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.86106
参考库存:31757
CPC5601DTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET LITELINK Programmable Driver
1,000:¥17.5941
2,000:¥16.8257
参考库存:31760
APT30N60SC6
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
87:¥45.3356
174:¥40.8834
261:¥37.3465
522:¥34.0356
参考库存:31763
PD85006L-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:4010
A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:31768
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