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晶体管
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STY60NM50

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp
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数量单价合计
1
¥160.9007
160.9007
10
¥147.9961
1479.961
25
¥141.8489
3546.2225
100
¥124.9441
12494.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
560 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
系列
STY60NM50
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.3 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
51 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5005
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,157.5946
2:¥1,134.8477
5:¥1,097.0492
10:¥1,077.2968
参考库存:40389
JAN2N2920U
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥447.593
5:¥428.7672
10:¥421.2414
25:¥394.8785
参考库存:40392
MPSA13/KSP13
Rectron
晶体管
达林顿晶体管 TO92,NPN,0.5A,30V Darlington
6,000:¥0.45313
10,000:¥0.40002
参考库存:40395
2N5011
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥80.3769
250:¥73.3822
500:¥68.6927
1,000:¥61.3138
参考库存:40398
RM4N700LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥3.1527
5,000:¥2.8702
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5764
参考库存:40401
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