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晶体管
IPI110N20N3 G参考图片

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IPI110N20N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 88A I2PAK-3 OptiMOS 3
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库存：4,319(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.2566
47.2566
10
¥42.7253
427.253
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
10.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 nS
零件号别名
IPI110N20N3GAKSA1 IPI11N2N3GXK SP000714304
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI110N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SE9405
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 . .
160:¥50.1042
260:¥46.0249
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
参考库存:29156
NVD5C460NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
2,500:¥2.9945
10,000:¥2.8702
25,000:¥2.7911
参考库存:29159
IRFZ24STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET MOSFET N-Channel 60V
800:¥10.8367
1,600:¥8.9157
参考库存:29162
IF1322A
InterFET
晶体管
JFET N-Ch Matched -20V 10mA 480mW 3.8mW
40:¥161.2849
100:¥149.838
250:¥137.4645
500:¥130.854
参考库存:29165
PBSS4032PZ,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -30V -4.4A 700mW 130MHz
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
10,000:¥1.7063
25,000:¥1.6385
50,000:¥1.6159
参考库存:29168
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