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晶体管
IPI110N20N3 G参考图片

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IPI110N20N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 88A I2PAK-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥47.2566
47.2566
10
¥42.7253
427.253
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
10.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 nS
零件号别名
IPI110N20N3GAKSA1 IPI11N2N3GXK SP000714304
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI110N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5794U
TT Electronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Transistor 6 Pin
1:¥280.3869
10:¥273.7086
100:¥268.6349
250:¥258.5666
参考库存:4492
JAN2N2907A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥43.8779
10:¥39.1093
25:¥35.1882
100:¥32.1146
参考库存:4803
IGW50N65H5AXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:4735
BUL1102E
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
参考库存:4499
JANS2N3637
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥633.0825
5:¥613.8725
10:¥594.6625
25:¥567.8476
参考库存:4549
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