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晶体管
IPB60R099C7ATMA1参考图片

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IPB60R099C7ATMA1

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库存:4,812(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.0359
40.0359
10
¥34.0356
340.356
100
¥29.5043
2950.43
250
¥27.9675
6991.875
1,000
¥21.2101
21210.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C7
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11.8 ns
零件号别名
IPB60R099C7 SP001297998
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB60R099C7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2546
5,000:¥5.3901
10,000:查看
参考库存:8815
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:33768
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6162
参考库存:4788
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.9891
2,500:¥6.1585
5,000:查看
参考库存:6321
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:4208
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