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晶体管
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IPB60R099C7ATMA1

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数量单价合计
1
¥40.0359
40.0359
10
¥34.0356
340.356
100
¥29.5043
2950.43
250
¥27.9675
6991.875
1,000
¥21.2101
21210.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C7
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11.8 ns
零件号别名
IPB60R099C7 SP001297998
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB60R099C7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N2222A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥323.9597
5:¥307.7442
10:¥299.676
25:¥275.3132
100:¥255.9563
200:查看
参考库存:39960
ALD810019SCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V
50:¥24.3628
100:¥22.826
250:¥20.5886
500:¥18.4416
参考库存:39963
STB15N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.2945
1,000:¥10.8367
2,000:查看
参考库存:5101
2N2813
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥730.9066
参考库存:39968
2N3468L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥89.7446
250:¥81.9137
500:¥76.6818
1,000:¥68.3876
参考库存:39971
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